Blanket
Blanke _ W(Tungsten)
300mm 실리콘 웨이퍼 위에 텅스텐(W)막을 증착하는 Blanket Wafer 제작 서비스입니다.제작 사양
- 웨이퍼 규격
- 300mm
- 기판
- Sub_Si
- 하부막
- LPTEOS 500Å/TiN <300Å
- 상부막
- W 50~3000Å
공정 및 장비
| 단계 | 공정 | 진행 장비 |
|---|---|---|
| 01 | FN Cleaning | NSM312 |
| 02 | Oxidation | FORMULA |
| 03 | Ox SCR | NSM312 |
| 04 | ALD TiN Dep. | Triase+EX-II TiN Plus |
| 05 | TiN Dep. SCR | NSM312 |
| 06 | CVD W Dep. | ALTUS |
| 07 | W Dep. CLN | NSM312_SPM |
| 08 | Thickness Measurement | ECHO |
| 09 | Particle Measurement | SP7XP |
유의사항
- Ox SCR은 RINSE 방식으로만 진행됩니다.
- TiN Dep. SCR은 RINSE 단독 또는 NANO 방식으로 진행됩니다.
- W Dep. CLN은 H2SO4+H2O2_H+HF+IPA 방식으로 진행됩니다.